Zostań w domu, zamów taniej!
Nie wychodź z domu i zamów online swoje ulubione pisma 20% taniej. Skorzystaj z kodu rabatowego: czytajwdomu

Elementy elektroniczne dużej mocy

Elementy elektroniczne dużej mocy
Pobierz PDF Download icon

Zamieszczone obok fragmenty opisu patentowego złożonego w roku 1926 udowadniają, że już prawie 100 lat temu pochodzący z Polski (urodzony w 1882 we Lwowie który wtedy był częścią Austro-Węgier) naukowiec żydowskiego pochodzenia, Julius Edgar Lilienfeld, opatentował tranzystor – wzmacniający element półprzewodnikowy.

Spis treści

Przełączające tranzystory SiC i GaN

Prawie wszystkie przeznaczone do liniowych wzmacniaczy mikrofalowe tranzystory mocy SiC i GaN są odmianami złączowych tranzystorów JFET i są normalnie otwarte, co jednak w takich zastosowaniach nie jest żadną przeszkodą. Z węglika krzemu i azotku galu można wykonać podobne wysokonapięciowe tranzystory mocy, optymalizowane nie do wzmacniaczy liniowych, tylko do roli szybkich przełączników.

Rysunek 21.

I takie wysokonapięciowe przełączniki powstały. Ciekawostką jest też fakt, że z węglika krzemu wykonuje się tranzystory bipolarne! Rysunek 21 pokazuje fragmenty katalogu GeneSiC GA506JT12-247. Choć elektrody oznaczone są jak w tranzystorze MOSFET i podana jest rezystancja RDSon, jest to tranzystor bipolarny. Ale to wyjątek.

Rysunek 22.

Rysunek 22 to fragmenty karty katalogowej bardzo poważnego producenta, koncernu Infineon. Karta katalogowa tranzystora IJW120R100T1 pochodzi z roku 2013 i nie jest już dostępna na stronie www.infineon.com.

JFET-y mocy pojawiły się w ofercie United Silicon Carbide Inc. (USCi), na przykład 1200-woltowy, 38-amperowy UJN1205K. Rysunek 23 pokazuje fragmenty jego karty katalogowej.

Rysunek 23.

Dziś takie tranzystory należy uznać za przestarzałe. Nie wchodząc w szczegóły, problem w tym, że są to nietypowe przełączniki, normalnie otwarte, zatykane „ujemnym” napięciem bramki, jak większość tranzystorów JFET. A takie przełączniki nie mogłyby być atrakcyjną alternatywą dla dotychczasowych przełączników – kluczy, jakimi są klasyczne MOSFET-y oraz identycznie sterowane tranzystory IGBT. Choćby tylko dlatego, że wymagałyby zmiany nie tylko przyzwyczajeń konstruktorów, ale też wprowadzenia jakichś całkiem nowych sterowników dla takich przełączników.

Jednak zapotrzebowanie na szybkie przełączniki jest ogromne i wciąż rośnie, ale muszą to być tranzystory normalnie zamknięte, otwierane napięciem „dodatnim”.

DO POBRANIA
Pobierz PDF Download icon
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik styczeń 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio luty 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje styczeń 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna styczeń 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich styczeń 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów