Zostań w domu, zamów taniej!
Nie wychodź z domu i zamów online swoje ulubione pisma 20% taniej. Skorzystaj z kodu rabatowego: czytajwdomu

Elementy elektroniczne dużej mocy

Elementy elektroniczne dużej mocy
Pobierz PDF Download icon

Zamieszczone obok fragmenty opisu patentowego złożonego w roku 1926 udowadniają, że już prawie 100 lat temu pochodzący z Polski (urodzony w 1882 we Lwowie który wtedy był częścią Austro-Węgier) naukowiec żydowskiego pochodzenia, Julius Edgar Lilienfeld, opatentował tranzystor – wzmacniający element półprzewodnikowy.

Spis treści

Nadzieje i rzeczywistość

Aktualnie w roli przełączników dominują MOSFET-y superjunction oraz IGBT w zakresie wysokich napięć, dużych prądów i częstotliwości do 100 kHz.

Zamieszczane w niektórych publikacjach porównania właściwości krzemu z SiC i GaN budzi oczekiwania, że tranzystory z tych materiałów WBG będą o wiele lepsze niż dzisiejsze krzemowe.

O wiele, czyli o ile?

Oczywiście nie da się precyzyjnie odpowiedzieć na to pytanie. Porównanie podstawowych parametrów samych materiałów rodzi duże nadzieje, ale trzeba mieć świadomość, że technologia krzemowa jest dobrze opanowana, a technologie WBG jeszcze nie. Dziś najnowsze oferowane krzemowe MOSFET-y w wielu popularnych aplikacjach okazują się niewiele gorsze od oferowanych dzisiaj, znacząco droższych SiC czy GaN. W grę wchodzi nie tylko miara jakości (FOM – Figure of Merit) będąca iloczynem rezystancji RDSon i ładunku bramki Qg. Duże znaczenie mają różne właściwości dynamiczne i związane z tym specyficzne zagadnienia i problemy. Oraz oczywiście cena.

Wprawdzie nowe technologie WBG wyszły już ze stadium dziecięcego, niemniej jest to początek ich rozwoju i do doskonałości jeszcze daleko. Interesujące jest, czy i kiedy ukażą się „prawdziwe” MOSFET-y GaN, bo współczesne normalnie zatkane wersje e-GaN HEMT oprócz zalet mają też istotne wady. Jak na razie, rynek tranzystorów GaN i SiC jest nieporównanie mniejszy od rynku MOSFET-ów krzemowych, jednak dynamicznie rośnie, a ceny spadają. Jesteśmy na początku transformacji. Na pewno trzeba interesować się nowymi tranzystorami SiC i GaN, bo wszystko wskazuje, iż to do nich należy przyszłość ważnych gałęzi elektroniki, w szczególności sieciowych przetwornic impulsowych.

Piotr Górecki

DO POBRANIA
Pobierz PDF Download icon
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik styczeń 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio luty 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje styczeń 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna styczeń 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich styczeń 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów