wersja mobilna | kontakt z nami

Mobilna Elektronika Praktyczna

Ze świata  Mikron zamierza w drugiej połowie roku uruchomić seryjną produkcję DRAM generacji 1ynm 

 

Jak informuje KC Hsu, przewodniczący Micron Memory Taiwan, firma jest na dobrej drodze do rozpoczęcia w 2019 roku masowej produkcji pamięci DRAM przy użyciu technologii procesowej 1ynm. Obecnie Micron seryjnie wytwarza chipy DRAM generacji określanej jako 1xnm w fabrykach w Taoyuan (północny Tajwan) i Taichung (centralny Tajwan).

Jak deklaruje KC Hsu, Micron planuje uruchomienie w 2020 roku seryjnej produkcji pamięci DRAM generacji 1znm. Tajwan stał się dla Microna ważnym miejscem produkcji. Amerykański dostawca układów pamięci stworzył tam również centrum doskonałości, by lokalnie rozwijać najnowocześniejsze chipy DRAM.

W związku z rozszerzaniem działalności na Tajwanie Micron zamierza zatrudnić dodatkowy 1000 osób. Oczekuje się, że do końca 2019 roku liczba pracowników Microna na Tajwanie osiągnie 8 tys. osób. Kolejne generacje procesów litograficznych: pierwsza, określana jako 1xnm, to 16-19 nm, druga - 1ynm - 14-16 nm oraz trzecia - 1znm - 12-14 nm.

Pozostałe artykuły

Zobacz wszystkie

Elektronika Praktyczna

Kwiecień 2019

PrenumerataePrenumerataKup w kiosku wysyłkowym

Elektronika Praktyczna Plus

lipiec - grudzień 2012

Kup w kiosku wysyłkowym