Miniaturowe podwójne tranzystory mocy MOSFET

Linia produktów Vishay Siliconix MOSFET obejmuje różnorodną ofertę zaawansowanych technologii nisko-, średnio- i wysokonapięciowych oraz ponad 40 typów obudów.

Rysunek 1. Sposób połączenia tranzystorów wewnątrz obudowy

Wśród nich znajduje się podwójny MOSFET oznaczony SIZ240. Może pracować z maksymalnym napięciem VDS = 40 V, maksymalnym prądem drenu 37 A i rezystancją RDS(on) @ VGS = 4,5 V wynoszącą ok 0,013 Ω. Tranzystory mają wspólne wyprowadzenie, które łączy dren jednego komponentu ze źródłem drugiego. Taka konfiguracja jest powszechnie stosowana w różnego rodzaju przetwornicach DC/DC czy sterownikach silników.

Dokumentacja tranzystorów: https://bit.ly/33vLhEc

Strona dystrybutora: https://bit.ly/2R9AkWm