Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D

Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D
Toshiba ogłosiła plany wyburzenia fabryki pamięci NAND Flash Fab 2 w Yokkaichi, aby ją zastąpić fabryką układów NAND flash 3D.

Firma podpisała także memorandum zrozumienia z SanDiskiem, wyrażające obustronną wolę inwestycji w nową fabrykę układów pamięci 3D. Produkcja pamięci w zakładzie Fab 2 dobiegła końca w 2010 r., wyburzanie miało rozpocząć się w maju br., a budowa nowej fabryki ma ruszyć we wrześniu i potrwać, wraz z wykończeniem clean roomów, około roku. Toshiba spodziewa się rozpoczęcia masowej produkcji pamięci 3D w drugiej połowie 2015 r. w sąsiednich zakładach Fab3 i Fab 4 w Yokkaichi. Następnie jej produkcja ma być podjęta w Fab 2.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik czerwiec 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio lipiec 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje czerwiec 2020

APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna czerwiec 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich czerwiec 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów