Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D

Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D
Toshiba ogłosiła plany wyburzenia fabryki pamięci NAND Flash Fab 2 w Yokkaichi, aby ją zastąpić fabryką układów NAND flash 3D.

Firma podpisała także memorandum zrozumienia z SanDiskiem, wyrażające obustronną wolę inwestycji w nową fabrykę układów pamięci 3D. Produkcja pamięci w zakładzie Fab 2 dobiegła końca w 2010 r., wyburzanie miało rozpocząć się w maju br., a budowa nowej fabryki ma ruszyć we wrześniu i potrwać, wraz z wykończeniem clean roomów, około roku. Toshiba spodziewa się rozpoczęcia masowej produkcji pamięci 3D w drugiej połowie 2015 r. w sąsiednich zakładach Fab3 i Fab 4 w Yokkaichi. Następnie jej produkcja ma być podjęta w Fab 2.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik listopad 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio listopad - grudzień 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje listopad 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna listopad 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich listopad 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów