Firma podpisała także memorandum zrozumienia z SanDiskiem, wyrażające obustronną wolę inwestycji w nową fabrykę układów pamięci 3D. Produkcja pamięci w zakładzie Fab 2 dobiegła końca w 2010 r., wyburzanie miało rozpocząć się w maju br., a budowa nowej fabryki ma ruszyć we wrześniu i potrwać, wraz z wykończeniem clean roomów, około roku. Toshiba spodziewa się rozpoczęcia masowej produkcji pamięci 3D w drugiej połowie 2015 r. w sąsiednich zakładach Fab3 i Fab 4 w Yokkaichi. Następnie jej produkcja ma być podjęta w Fab 2.
Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D
Wtorek, 22 Lipiec 2014
Toshiba ogłosiła plany wyburzenia fabryki pamięci NAND Flash Fab 2 w Yokkaichi, aby ją zastąpić fabryką układów NAND flash 3D.
Zobacz więcej w kategorii Koktajl newsów