Zaloguj
Diody SICxxxx występują w wariantach o maksymalnym napięciu wstecznym (VRRM) wynoszącym 650 V lub 1200 V oraz o prądzie znamionowym 2 A lub 4 A. Są zamykane w standardowych obudowach TO-220AC oraz w izolowanych obudowach ITO-220AC, ułatwiających integrację mechaniczną z radiatorami.
Zastosowanie technologii SiC pozwoliło na uzyskanie niskiego napięcia przewodzenia w porównaniu z klasycznymi, wysokonapięciowymi diodami krzemowymi, przy jednoczesnym zapewnieniu bardzo małych strat przełączania. Cechą charakterystyczną diod Schottky’ego SiC jest pomijalnie mały ładunek wewnętrzny, umożliwiający pracę w układach o dużej częstotliwości przełączania, przy małych stratach i nieznacznej emisji elektromagnetycznej. Ważną zaletą jest też dodatni współczynnik temperaturowy napięcia przewodzenia. Wraz ze wzrostem temperatury napięcie przewodzenia rośnie, co sprzyja stabilnemu podziałowi prądu w konfiguracjach równoległych i ogranicza ryzyko nierównomiernego obciążenia elementów. W połączeniu z szeroką przerwą energetyczną zwiększa to także odporność na zjawisko niekontrolowanego wzrostu temperatury i ułatwia projektowanie systemów o dużej niezawodności.
Zakres zastosowań diod SICxxxx obejmuje prostowniki i układy korekcji PFC w zasilaczach impulsowych, układy napędowe silników, ładowarki pokładowe pojazdów EV oraz systemy sterowania maszyn i robotów, wymagające dużej sprawności energetycznej i zdolności pracy w szerokim zakresie temperatury otoczenia.
