Samsung ogłasza gotowość do produkcji w procesie 5 nm EUV

Wtorek, 11 Czerwiec 2019

Samsung Electronics ogłosił, że jego proces technologiczny 5 nm FinFET jest już kompletny i gotowy do wytwarzania próbek dla klientów. W porównaniu z 7 nm, technologia 5 nm FinFET zapewnić ma do 25% wzrostu efektywności w zakresie wykorzystania obszaru logicznego, przy o 20% niższym zużyciu energii lub o 10% wyższej wydajności. Podobnie jak poprzednik, proces 5 nm wykorzystuje litografię EUV.

Samsung podkreśla, że w dużym stopniu ograniczy koszty migracji do procesu 5 nm dzięki wykorzystaniu całej własności intelektualnej dotyczącej technologii 7 nm i oparciu się na tym wcześniej zweryfikowanym ekosystemie projektowym, co pozwoli również przyspieszyć rozwój produktów klasy 5 nm.

W październiku 2018 r. Samsung ogłosił rozpoczęcie wstępnej produkcji w procesie 7 nm z wykorzystaniem litografii EUV, a o rozpoczęciu produkcji masowej firma informowała na początku bieżącego roku. Samsung współpracuje również z klientami w zakresie rozwoju, opartego na EUV, procesu 6 nm.

Technologia EUV Samsunga jest obecnie wdrożona na linii produkcyjnej S3 w Hwaseong w Korei. Firma planuje uruchomić w Hwaseong kolejną linię EUV, która zgodnie z prognozami spółki będzie ukończona w drugiej połowie 2019 r. i rozpocznie produkcję na początku roku 2020.

DigiTimes

Zobacz także

eT - wielokanałowy, bezprzewodowy system pomiaru temperatury
Projekty EP