Przykładem takiej „diody” jest układ LTC4358 (Analog Devices), którego schemat wewnętrzny pokazano na rysunku 1. W swojej strukturze układ zawiera tranzystor kluczujący MOSFET o niewielkiej rezystancji kanału (typ. 20 mΩ) z obwodami detekcji napięć wejściowych i wyjściowych sterujących jego pracą.
Dzięki za niskiej rezystancji klucza w porównaniu do typowej diody Schottky'ego, przełączanie odbywa się z niewielkimi stratami, nawet przy prądzie do 5 A (maksymalne napięcie pracy klucza to 26 V), co jest szczególnie istotne w układach zasilanych bateryjnie, gdzie możliwe jest maksymalne wykorzystanie energii zgromadzonej w ogniwach. Zmierzoną przez producenta różnicę strat mocy przemawiającą za stosowaniem diod „idealnych” (pomimo ich wyższej ceny) prezentuje rysunek 2.
Schemat układu przełącznika opartego o LTC4358 pokazano na rysunku 3. Układ ma dwa wejścia: INB służące do dołączenia zasilacza i INA służące do dołączenia baterii lub akumulatora z odpowiednią ładowarką. Obciążenie podłączone jest do wyjścia OUT i zasilane jest bezprzerwowo. Maksymalna obciążalność wyjścia to 3 A (maksymalnie 5 A przy zastosowaniu niewielkiego radiatora na U1). Zakres napięcia wejściowego powinien zawierać się w przedziale 9…26 V. Wejście INA jest zabezpieczone przed uszkodzeniem w wypadku odwrotnego podłączenia baterii. Zabezpieczenie wykonano z użyciem diod D1 i D2 blokujących pracę U1.
Przełącznik zmontowano na niewielkiej płytce drukowanej – jej schemat montażowy pokazano na rysunku 4. Montaż nie wymaga opisu, należy tylko poprawnie przylutować pad termiczny.
Dla sprawdzenia zasadności zastosowania LTC4358, wykonano pomiary porównawcze spadków napięć w kierunku przewodzenia dla napięcia wejściowego z zakresu 9,6…14,4 V odpowiadających typowemu akumulatorowi żelowemu i kilku prądów obciążeń. Otrzymane umieszczono w tabeli 1.
Otrzymane wyniki przemawiają za stosowaniem specjalizowanych, „idealnych” układów kluczowania, gdy zależy nam na najmniejszych stratach mocy i maksymalnym wykorzystaniu ogniw podtrzymujących, w miejsce tradycyjnej diody, nawet Schottky'ego.
Adam Tatuś, EP
- R1: 100 Ω/1% (SMD 1206)
- C1…C4: 0,1 μF (SMD 1206)
- D1, D2: 1N4148 (SMD)
- D3: MBRS540T3 (Schottky)
- U1: LTC4353CDE (DFN14)
- INA, INB, OUT: DG381-3.5-2 (złącze DG 2 pin R=3,5 mm)