Tranzystory n-MOS o rekordowo małej rezystancji RDS(on)

Tranzystory n-MOS o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Firma International Rectifier powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o nową rodzinę tranzystorów n-kanałowych StrongIRFET o napięciu przebicia z zakresu 20...30 V mających rekordowo małą rezystancję RDS(on).

Obejmuje ona 6 typów tranzystorów zaprojektowanych do wysokoprądowych układów zasilania w aplikacjach komputerowych i telekomunikacyjnych. Pomimo bardzo małych wymiarów obudów mała rezystancja termiczna RθJ-C pozwala na przewodzenie prądów drenu sięgających nawet 211 A (tranzystor typu IRL6283M) przy skutecznym chłodzeniu. Rezystancja RDS(on) wynosi od 0,5 mΩ przy napięciu sterującym UGS równym 10 V. Ceny hurtowe IRL6283M zaczynają się od 0,81 USD przy zamówieniu od 10 tys. sztuk.

Symbol VDS VGS Obudowa
[mm]
RθJ-C
[°C/W]
ID
[A]
RDS(on) (typ./maks.)
[mΩ]
10 V 4,5 Ω 2,5 V
IRL6283M 20 V 12 V DirectFET MD
6,3×4,9×0,6
<1,97 211 0,50/0,75 0,65/0,87 1,1/1,5
IRFH8201 25 V 20 V PQFN
6×5×0,9
<0,8 100 0,80/0,95 1,20/1,60 -
IRFH8202 <0,8 0,90/1,05 1,40/1,85
IRFH8303 30 V <0,8 0,90/1,10 1,30/1,70
IRFH8307 <0,8 1,1/1,3 1,7/2,1
IRF8301M DirectFET MT
6,3×4,9×0,7
<1,4 192 1,3/1,5 1,9/2,4
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów