Miniaturowy, podwójny tranzystor n-MOS o prądzie drenu do 4 A

Miniaturowy, podwójny tranzystor n-MOS o prądzie drenu do 4 A
SSM6N58NU to podwójny, n-kanałowy tranzystor MOSFET, charakteryzujący się równocześnie dużym dopuszczalnym prądem drenu i małymi gabarytami, zaprojektowany do zastosowania w układach zarządzania mocą w smartfonach, tabletach i laptopach.

Jest produkowany w obudowie UDFN6 o wymiarach 2 mm×2 mm×0,75 mm. Może przewodzić prąd ciągły o natężeniu do 4 A i impulsowy do 10 A. Jego zaletą są też krótkie czasy przełączania wynikające z małej pojemności wewnętrznej i małego ładunku bramki. SSM6N58NU może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C. Jest zabezpieczony przed wyładowaniami ESD do 2 kV.

Pozostałe parametry techniczne:

  • CISS: 129 pF,
  • RDS(on): od 67 m<W> przy ID=2 A i VGS=4,5 V,
  • QG: 1,8 nC przy ID=4 A,
  • czasy włączania/wyłączania (tON/tOFF): 26 ns/9 ns,
  • PD: 2 W.
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów