Miniaturowy, podwójny tranzystor n-MOS o prądzie drenu do 4 A

Jest produkowany w obudowie UDFN6 o wymiarach 2 mm×2 mm×0,75 mm. Może przewodzić prąd ciągły o natężeniu do 4 A i impulsowy do 10 A. Jego zaletą są też krótkie czasy przełączania wynikające z małej pojemności wewnętrznej i małego ładunku bramki. SSM6N58NU może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C. Jest zabezpieczony przed wyładowaniami ESD do 2 kV.

Pozostałe parametry techniczne:

• C_ISS: 129 pF,
• R_DS(on): od 67 m<W> przy I_D=2 A i V_GS=4,5 V,
• Q_G: 1,8 nC przy I_D=4 A,
• czasy włączania/wyłączania (t_ON/t_OFF): 26 ns/9 ns,
• P_D: 2 W.