Miniaturowy, podwójny tranzystor n-MOS o prądzie drenu do 4 A

Miniaturowy, podwójny tranzystor n-MOS o prądzie drenu do 4 A
SSM6N58NU to podwójny, n-kanałowy tranzystor MOSFET, charakteryzujący się równocześnie dużym dopuszczalnym prądem drenu i małymi gabarytami, zaprojektowany do zastosowania w układach zarządzania mocą w smartfonach, tabletach i laptopach.

Jest produkowany w obudowie UDFN6 o wymiarach 2 mm×2 mm×0,75 mm. Może przewodzić prąd ciągły o natężeniu do 4 A i impulsowy do 10 A. Jego zaletą są też krótkie czasy przełączania wynikające z małej pojemności wewnętrznej i małego ładunku bramki. SSM6N58NU może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C. Jest zabezpieczony przed wyładowaniami ESD do 2 kV.

Pozostałe parametry techniczne:

  • CISS: 129 pF,
  • RDS(on): od 67 m<W> przy ID=2 A i VGS=4,5 V,
  • QG: 1,8 nC przy ID=4 A,
  • czasy włączania/wyłączania (tON/tOFF): 26 ns/9 ns,
  • PD: 2 W.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik lipiec 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio lipiec - sierpień 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje lipiec 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna lipiec 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów