Charakteryzuje się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu wynoszącym 16,7 A w temperaturze +25°C (przy zapewnieniu dobrych warunków chłodzenia) i dopuszczalnym prądem impulsowym 80 A przez przez 100 µs.
Obudowa CSP Micro Foot, wyposażona w 30 pól kontaktowych, zapewnia najmniejszą, możliwą do uzyskania rezystancję RDS(on) w przeliczeniu na powierzchnię montażową, wynoszącą tu odpowiednio 8,0 i 11,0 mΩ, przy napięciu VGS wynoszącym -4,5 V i -2,5 V.
W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem dostępnym w obudowie o wymiarach 2 mm×2 mm×0,8 mm tranzystor Si8851EDB charakteryzuje mniejsza o około połowę rezystancja RDS(on) przy napięciu VGS równym -4,5 V oraz mniejsza o 37% w przeliczeniu na powierzchnię montażową. Struktura wewnętrzna tranzystora obejmuje diodę zabezpieczającą przed przepięciami przy współpracy z obciążeniem indukcyjnym oraz zabezpieczenie ESD do 6 kV (HBM).