p-kanałowy 20-woltowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)

p-kanałowy 20-woltowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Firma Vishay stale podnosi poprzeczkę w zakresie poprawy parametrów tranzystorów MOSFET przeznaczonych do zastosowań w szybkich układach przełączających.

Najnowszy p-kanałowy MOSFET o symbolu Si7157DP, zrealizowany w procesie TrenchFET trzeciej generacji, wykazuje rekordowo małą rezystancję RDS(on), wynoszącą zaledwie 1,6 m przy napięciu sterowania UGS równym –10 V i 2,0 m przy -4,5 V. Tranzystor ma napięcie przebicia –20 V i dopuszczalny prąd drenu 60 A. Jest oferowany w obudowie PowerPAK SO-8 o wymiarach 6,15 mm×5,15 mm. Zaprojektowano go głównie do aplikacji w przełącznikach zasilania laptopów, w których pozwala na ograniczenie do minimum strat mocy.

Vishay
www.vishay.com

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik październik 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio październik 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje październik 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna październik 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich wrzesień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów