Energooszczędne Pamięci Advanced LP SRAM 4 Mb produkowane w nowym procesie 110 nm

Charakteryzują się one pojemnością 4 Mb i są produkowane w procesie technologicznym 110 nm (wcześniej 150 nm). Podobnie, jak poprzednie wykonania, praktycznie nie wykazują błędów programowych i zjawiska latchup. Ponadto, wyróżniają się małym poborem prądu wynoszącym maksymalnie 2 µA w stanie standby w temperaturze +25°C, dzięki czemu nadają się idealnie do zastosowań w urządzeniach z podtrzymaniem bateryjnym.

Rozmiar pojedynczej komórki pamięci w przypadku układów Advanced LP SRAM produkowanych w technologii 110 nm jest porównywalny z komórką pamięci full CMOS SRAM produkowaną w technologii 65 nm. Największą zaletą technologii Advanced LP SRAM jest bardzo duża niezawodność uzyskana dzięki samej konstrukcji komórki pamięci, bez potrzeby stosowania korekcji ECC. W najbliższym czasie firmy Renesas planuje wprowadzenie do oferty podobnych układów o pojemnościach 8 i 64 Mb.