Miniaturowe superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach DFN

Miniaturowe superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach DFN
Toshiba wprowadza do oferty rodzinę miniaturowych tranzystorów superzłączowych MOSFET TKxV60W produkowanych w procesie technologicznym DTMOS-IV i oferowanych w niskoprofilowych obudowach DFN o wymiarach 8 mm×8 mm×0,85 mm.

Tranzystory te mają napięcie znamionowe 600 V i bardzo małą rezystancję RDS(on) mieszczącą się w zakresie od 0,098 do 0,38 . Są produkowane na zakres prądów drenu od 9,7 do 30 A. Ich przeznaczeniem są szybkie układy impulsowe, gdzie stanowią alternatywę dla znacznie większych odpowiedników produkowanych w konwencjonalnych obudowach D2Pak i DPak.

Zawierają dodatkowe wyprowadzenie Sense do bezpośredniego dołączenia sterownika. Opracowany przez firmę Toshiba proces technologiczny DTMOS-IV zapewnia mniejszą rezystancję RDS(on) od innych podobnych tranzystorów, co z kolei pozwala na zmniejszenie strat mocy w zakresie wysokich temperatur. Kolejną zaletą jest zoptymalizowana wartość CGD, pozwalająca zmniejszyć tendencję do powstawania oscylacji w szybkich układach impulsowych.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów