Miniaturowe superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach DFN

Miniaturowe superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach DFN
Toshiba wprowadza do oferty rodzinę miniaturowych tranzystorów superzłączowych MOSFET TKxV60W produkowanych w procesie technologicznym DTMOS-IV i oferowanych w niskoprofilowych obudowach DFN o wymiarach 8 mm×8 mm×0,85 mm.

Tranzystory te mają napięcie znamionowe 600 V i bardzo małą rezystancję RDS(on) mieszczącą się w zakresie od 0,098 do 0,38 . Są produkowane na zakres prądów drenu od 9,7 do 30 A. Ich przeznaczeniem są szybkie układy impulsowe, gdzie stanowią alternatywę dla znacznie większych odpowiedników produkowanych w konwencjonalnych obudowach D2Pak i DPak.

Zawierają dodatkowe wyprowadzenie Sense do bezpośredniego dołączenia sterownika. Opracowany przez firmę Toshiba proces technologiczny DTMOS-IV zapewnia mniejszą rezystancję RDS(on) od innych podobnych tranzystorów, co z kolei pozwala na zmniejszenie strat mocy w zakresie wysokich temperatur. Kolejną zaletą jest zoptymalizowana wartość CGD, pozwalająca zmniejszyć tendencję do powstawania oscylacji w szybkich układach impulsowych.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień - październik 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich wrzesień 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów