Małostratne MOSFETy SiC 1200 V o dużej gęstości mocy

Oba są zamykane w obudowach TO-247. Charakteryzują się maksymalnym napięciem dren-źródło 1200 V i rezystancją R_DS(on) równą 80 mΩ. Są to rewolucyjne tranzystory, pozwalające nawet o 90% zmniejszyć straty mocy przy pracy impulsowej w porównaniu z tradycyjnymi tranzystorami krzemowymi, co z kolei pozwala stosować większe częstotliwości przełączania, a w konsekwencji mniejsze, tańsze i lżejsze podzespoły pasywne i radiatory.

SCT2080KE i SCH2080KE zostały zaprojektowane do zastosowań we wszelkiego typu układach konwersji mocy, m.in. w falownikach, przetwornicach DC-DC i zasilaczach UPS oraz w układach napędowych. Dzięki krótkim czasom włączania i wyłączania wynoszącym odpowiednio 90 i 70 ns mogą pracować z częstotliwością przełączania rzędu setek kHz.

SCH2080KE zawiera wbudowaną w strukturę dodatkową diodę Schottky’ego SiC zmniejszającą napięcie przewodzenia. SCT2080KE i SCH2080KE są zamykane w obudowach TO-247, natomiast SCT2080KE dodatkowo jest oferowany w postaci nieobudowanej struktury.