150-woltowy tranzystor mocy GaN w obudowie WLCSP

150-woltowy tranzystor mocy GaN w obudowie WLCSP
Firma Fujitsu rozpoczęła sprzedaż pierwszych wersji testowych 150-woltowego tranzystora mocy MB51T008A zrealizowanego na podłożu GaN.

Jest to miniaturowy tranzystor przełączający z kanałem normalnie zamkniętym, zaprojektowany na potrzeby małogabarytowych układów zasilania. W stosunku do odpowiedników krzemowych o tym samym napięciu przebicia charakteryzuje się o połowę mniejszym współczynnikiem FOM (RDS(on)×Qg), decydującym o stratach mocy przy pracy impulsowej.

Jego rezystancja kanału wynosi 13 m?, a ładunek bramki 16 nC. Dzięki zastosowaniu miniaturowej obudowy WLCSP uzyskano bardzo małą indukcyjność pasożytniczą, a w konsekwencji możliwość pracy z dużą częstotliwością przełączania. MB51T008A jest polecany do zastosowań w przełącznikach low-side i high-side przetwornic DC-DC.

Pierwsze wersje próbne tego tranzystora są dostępne od lipca b.r. Firma Fujitsu pracuje obecnie nad dwoma kolejnymi tranzystorami GaN o napięciach przebicia 600 V i 30 V, realizowanymi w oparciu o technologię HEMT.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik lipiec 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio lipiec 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje lipiec 2020

APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna lipiec 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich czerwiec 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów