150-woltowy tranzystor mocy GaN w obudowie WLCSP

150-woltowy tranzystor mocy GaN w obudowie WLCSP
Firma Fujitsu rozpoczęła sprzedaż pierwszych wersji testowych 150-woltowego tranzystora mocy MB51T008A zrealizowanego na podłożu GaN.

Jest to miniaturowy tranzystor przełączający z kanałem normalnie zamkniętym, zaprojektowany na potrzeby małogabarytowych układów zasilania. W stosunku do odpowiedników krzemowych o tym samym napięciu przebicia charakteryzuje się o połowę mniejszym współczynnikiem FOM (RDS(on)×Qg), decydującym o stratach mocy przy pracy impulsowej.

Jego rezystancja kanału wynosi 13 m?, a ładunek bramki 16 nC. Dzięki zastosowaniu miniaturowej obudowy WLCSP uzyskano bardzo małą indukcyjność pasożytniczą, a w konsekwencji możliwość pracy z dużą częstotliwością przełączania. MB51T008A jest polecany do zastosowań w przełącznikach low-side i high-side przetwornic DC-DC.

Pierwsze wersje próbne tego tranzystora są dostępne od lipca b.r. Firma Fujitsu pracuje obecnie nad dwoma kolejnymi tranzystorami GaN o napięciach przebicia 600 V i 30 V, realizowanymi w oparciu o technologię HEMT.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik kwiecień 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio kwiecień - maj 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje kwiecień 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna kwiecień 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich maj 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów