Zaloguj
Oczywiście ten pierwszy, ze względu na mniejszą jego rezystancję, która przekłada się na zwiększenie nachylenia jego charakterystyki przejściowej, tzn. charakterystyki przedstawiającej prąd jego drenu w funkcji napięcia przyłożonego między jego źródło, a bramkę. Tym samym należy nabywać tranzystory MOSFET o jak najkrótszej długości ich kanałów (mniejsza rezystancja odpowiada mniejszym stratom).
