Zaloguj
Krzywe sprawności energetycznej pokazują wyraźnie, że tranzystory OptiMOS 6 wykazują znacznie mniejsze straty w zakresie małych mocy wyjściowych od tranzystorów poprzedniej generacji. Pozostają one na niskim poziomie również przy dużych obciążeniach pomimo, że dominujące są w tym zakresie straty na przewodzenie, uzależnione od RDS(on). Zapewnia to mniejsze wymogi odnośnie układu chłodzenia oraz ułatwia łączenie równoległe tranzystorów, co w konsekwencji oznacza niższe koszty realizacji zasilacza.
Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w 8 wariantach zamykanych dwóch typach obudów: SuperSO8 (6×5 mm, RDS(on) od 0,7 do 5,9 mΩ) oraz PQFN (3,3×3,3 mm, RDS(on) od 1,8 do 6,3 mΩ).
