Zaloguj
Pierwsze dwie wersje, BUK7M3R3-40H i BUK9M3R3-40H są zamykane w obudowach LFPAK33 o powierzchni zaledwie 10,9 mm² i rozstawie wyprowadzeń 0,65 mm. Różnią się poziomami napięć sterowania bramki. W przypadku BUK7M3R3-40H są to poziomy standardowe, a dla BUK9M3R3-40H są to poziomy umożliwiające bezpośrednie sterowanie z bramek logicznych. Oba tranzystory charakteryzują się jednakową, niską rezystancją RDS(on) wynoszącą 3,3 m? i maksymalnym prądem drenu równym 80 A. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.
Miniaturowe 40-woltowe tranzystory MOSFET 3×3 mm do podsystemów samochodowych
Wtorek, 11 Czerwiec 2019
Firma Nexperia wprowadziła do oferty nową serię 16 miniaturowych tranzystorów MOSFET o małej rezystancji RDS(on) i napięciu znamionowym 40 V, produkowanych w technologii Trench 9 i mogących znaleźć zastosowanie m.in. w motoryzacji. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q101.
Zobacz więcej w kategorii Nowe produkty
