SiRA20DP - MOSFET o bardzo małej RDS(on)

SiRA20DP - MOSFET o bardzo małej RDS(on)
Oferta tranzystorów MOSFET Vishay powiększyła się o tranzystor mający rekordowo małą rezystancję kanału.

SiRA20DP to tranzystor n-kanałowy, o napięciu przebicia 25 V, oferowany w obudowie PowerPAK SO-8. Dzięki małej rezystancji RDS(on) i małemu ładunkowi bramki zapewnia małe straty mocy przy pracy impulsowej.

SiRA20DP może pracować z przy prądzie drenu do 100 A - jego ograniczeniem są parametry obudowy. Rezystancja RDS(on) tranzystora wynosi 0,58 mΩ przy 10 V, a ładunek bramki 61 nC. Iloczyn tych wartości, reprezentujący wielkość strat mocy przy pracy impulsowej, jest najmniejszy spośród wszystkich podobnych tranzystorów o rezystancji drenu poniżej 0,6 mΩ.

SiRA20DP jest zalecany do zastosowania w przetwornicach DC/DC w serwerach, systemach telekomunikacyjnych i przełącznikach zasilania przy zasilaniu napięciem 5 V lub 12 V.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów