TPH1R204PB - n-kanałowy MOSFET 40 V/150 A

TPH1R204PB - n-kanałowy MOSFET 40 V/150 A
Firma Toshiba Electronics Europe rozszerzyła ofertę tranzystorów MOSFET wytwarzanych w opatentowanym procesie Trench U-MOS-IX-H o nowy, 40-woltowy tranzystor z kanałem n, z wbudowaną diodą usprawniającą SRD. Wbudowana dioda umożliwia ograniczenie do bardzo małej wartości przepięcia występujące pomiędzy drenem i źródłem.

Dzięki temu nowy tranzystor doskonale nadaje się do zastosowania w przetwornicach oraz w sterownikach napędów. Maksymalna rezystancji kanału RDS(on) nowego tranzystora wynosi 0,85 mΩ przy napięciu VGS=10 V. Dopuszczalny, ciągły prąd drenu to 150 A.

Ładunek bramki QSW wynosi 21 nC, a ładunek wyjściowy QOSS 56 nC. Maksymalna temperatura złącza +175°C. Tranzystor TPH1R204PB jest oferowany w obudowie SOP o wymiarach 6 mm×5 mm×0,95 mm.

Więcej na toshiba.semicon-storage.com
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik październik 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio listopad 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje październik 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna październik 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich październik 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów