TPH1R204PB - n-kanałowy MOSFET 40 V/150 A

TPH1R204PB - n-kanałowy MOSFET 40 V/150 A
Firma Toshiba Electronics Europe rozszerzyła ofertę tranzystorów MOSFET wytwarzanych w opatentowanym procesie Trench U-MOS-IX-H o nowy, 40-woltowy tranzystor z kanałem n, z wbudowaną diodą usprawniającą SRD. Wbudowana dioda umożliwia ograniczenie do bardzo małej wartości przepięcia występujące pomiędzy drenem i źródłem.

Dzięki temu nowy tranzystor doskonale nadaje się do zastosowania w przetwornicach oraz w sterownikach napędów. Maksymalna rezystancji kanału RDS(on) nowego tranzystora wynosi 0,85 mΩ przy napięciu VGS=10 V. Dopuszczalny, ciągły prąd drenu to 150 A.

Ładunek bramki QSW wynosi 21 nC, a ładunek wyjściowy QOSS 56 nC. Maksymalna temperatura złącza +175°C. Tranzystor TPH1R204PB jest oferowany w obudowie SOP o wymiarach 6 mm×5 mm×0,95 mm.

Więcej na toshiba.semicon-storage.com

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień - październik 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich wrzesień 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów