Zaloguj
Oferta dwa tranzystory z kanałem typu "N" o napięciu UDS 100 V i prądzie drenu 35 A. Żywotność tranzystorów przekracza 15 lat. Tranzystory IRHNJ9A7130 i IRHNJ9A3130 zapewniają zwiększoną odporność na promieniowanie, wyrażoną współczynnikiem TID (Total Ionizing Dose) wynoszącym, odpowiednio - 100 kRad/s i 300 kRad/s.
Ich rezystancja RDS(ON) jest o około 30% mniejsza (25 mΩ) niż w tranzystorach z wcześniejszych generacji. Podwyższony do 35 A (uprzednio 22 A) pozwala na ograniczenie strat mocy w przetwornicach i aplikacjach sterujących silnikami napędowymi.
Tranzystory są oferowane w miniaturowych obudowach SMD o wymiarach ok. 10,28 mm×7,64 mm×3,12 mm. Mogą być również dostarczane w postaci struktur przeznaczonych do przyklejenia na płytce drukowanej np. układu grubowarstwowego.
| Więcej na www.irf.com |
