FAM65V05DF1 - 3-fazowy moduł IGBT 650 V/50 A

Moduł FAM65V05DF1 zawiera zespół tranzystorów IGBT, diod regeneracyjnych i sterowników bramek w obudowie o zajmującej powierzchnię 44 mm×26 mm. Pozwala to znacznie zmniejszenie wymiarów gotowego urządzenia opartego o komponenty dyskretne.

Moduł ma szereg obwodów zabezpieczających: zabezpieczenie podnapięciowe, przed przeciążeniem i przegrzaniem oraz wyjścia informujące o błędach. Parametry sterowników bramek dobrano z uwzględnieniem ograniczenia zaburzeń EMI. Wejścia modułu są kompatybilne z poziomami CMOS/LSTTL 3,3 V/5 V. Na wejściach zastosowano bramki Schmitta.

FAM65V05DF1 jest oferowany w obudowie APM 27L Double DIP.