NGTB - nowe tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1,2 kV

NGTB - nowe tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1,2 kV
Firma ON Semiconductor dodała do oferty serię trzech tranzystorów IGBT wyprodukowanych w technologii trench Ultra Field Stop. Nowe tranzystory noszą oznaczenia: NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG, NGTB40N120L3WG.

Mają napięcie przebicia 1200 V. Zaprojektowano je z myślą o ograniczeniu strat mocy do poziomu akceptowalnego w nowoczesnych aplikacjach impulsowych. Zapewniają one jedne z najmniejszych wśród tego typu tranzystorów całkowitych strat na przełączanie (Ets).

Wynika to z zastosowania bardzo szerokiej, silnie domieszkowanej warstwy field-stop oraz optymalizacji wewnętrznej diody. 40-amperowy tranzystor NGTB40N120FL3WG ma współczynnik Ets równym 2,7 mJ, a 25-amperowy NGTB25N120FL3WG - 1,7 mJ.

W obu tranzystorach napięcie nasycenia VCE(sat) wynosi 1,7 V przy prądzie znamionowym. 40-amperowy tranzystor NGTB40N120L3WG ma napięcie nasycenia równym 1,55 V i Ets wynoszący 3 mJ. Pierwsze dwa tranzystory są polecane głównie do zasilaczy awaryjnych, przetwornic i falowników systemów fotowoltaicznych.

Z kolei, trzeci tranzystor znajdzie zastosowanie głównie w sterownikach napędów. Wszystkie tranzystory są oferowane w obudowach TO-247.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik lipiec 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio lipiec - sierpień 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje lipiec 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna lipiec 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów