Zaloguj
Mają napięcie przebicia 1200 V. Zaprojektowano je z myślą o ograniczeniu strat mocy do poziomu akceptowalnego w nowoczesnych aplikacjach impulsowych. Zapewniają one jedne z najmniejszych wśród tego typu tranzystorów całkowitych strat na przełączanie (Ets).
Wynika to z zastosowania bardzo szerokiej, silnie domieszkowanej warstwy field-stop oraz optymalizacji wewnętrznej diody. 40-amperowy tranzystor NGTB40N120FL3WG ma współczynnik Ets równym 2,7 mJ, a 25-amperowy NGTB25N120FL3WG - 1,7 mJ.
W obu tranzystorach napięcie nasycenia VCE(sat) wynosi 1,7 V przy prądzie znamionowym. 40-amperowy tranzystor NGTB40N120L3WG ma napięcie nasycenia równym 1,55 V i Ets wynoszący 3 mJ. Pierwsze dwa tranzystory są polecane głównie do zasilaczy awaryjnych, przetwornic i falowników systemów fotowoltaicznych.
Z kolei, trzeci tranzystor znajdzie zastosowanie głównie w sterownikach napędów. Wszystkie tranzystory są oferowane w obudowach TO-247.
