Zaloguj
Moduł nosi oznaczenie BSM300D12P2E001 i jest przeznaczony do aplikacji przetwornic o dużej mocy. Straty mocy z tytułu przełączania wynoszą 77%. W porównaniu do zwykle stosowanych tranzystorów lub modułów IGBT, nowy SiC pozwala na uzyskanie większej częstotliwości kluczowania, co skutkuje mniejszymi wymiarami współpracujących elementów indukcyjnych, pojemności oraz innych komponentów.
W marcu 2012 firma ROHM rozpoczęła masową produkcję pierwszego na świecie modułu SiC ze zintegrowanymi komponentami półprzewodnikowymi, a moduły 120 A i 180 A dla napięcia znamionowego 1200 V zostały doskonale przyjęte przez producentów sprzętu przemysłowego oraz układów zasilania, co stawia dobre prognozy dla nowego modułu.
Zwiększenie dopuszczalnego prądu obciążenia oraz podwyższenie częstotliwości kluczowania pozwalają na zmniejszenie indukcyjności dławików i wielkości transformatorów wykorzystywanych w przetwornicy. Dzięki temu są ograniczane przepięcia występujące podczas przełączania, a tym samym zmniejsza się straty energii. Skutkuje to obniżeniem temperatury, podwyższeniem sprawności energetycznej oraz zmniejszeniem wymiarów gotowego urządzenia.
Aktualnie firma oferuje próbki przeznaczone do testowania i zastosowania w nowo opracowywanych urządzeniach. Nie jest jeszcze znany termin uruchomienia produkcji seryjnej.
