Zaloguj
Zgodnie z informacjami uzyskanymi od producenta diody są wykonane w nowej technologii opatentowanej przez Microsemi. Ze względu na małą pojemność złącza są one przeznaczone przede wszystkim do zabezpieczenia szybkich linii transmisyjnych, takich jak na przykład linie interfejsu Ethernet, i innych o prędkości transmisji do 500 Mbit/s.
Nowe diody są produkowane pod oznaczeniem 1N8149...1N8182 do montażu przewlekanego oraz 1N8149US...1N8182US do montażu SMD. Diody są odporne na impulsy o mocy 150 W o czasie trwania 10/1000 µs. Maksymalna pojemność złącza wynosi do 4 pF. Diody są oferowane na napięcie znamionowe od 6,8 V do 170 V. Są przy tym zgodne z surowymi wymaganiami standardów obowiązującymi w awionice: ESD (wyładowania elektrostatyczne), EFT (szybkozmienny prąd elektryczny) i standardami ochrony przed wyładowaniami atmosferycznymi o niskim napięciu, zgodnie z normami IEC61000-4-2, IEC61000-4-5 i specyfikacją TCA-DO160. Jednocześnie firma poinformowała, że pracuje nad diodami o małej pojemności zabezpieczającymi przed impulsami o większej mocy - do 500 W w czasie 10/1000 µs.
Podstawowe parametry diod 1N8149...1N8182 oraz 1N8149US...1N8182US:
- Odporność na impulsy o mocy 150 W i czasie trwania 10/1000 µs;
- Odporność na moc 1000 W w czasie 8/20 µs;
- Pojemność: < 4 pF;
- Dostępne ekranowanie JANTXV zgodne z MIL-PRF-19500;
- Napięcie zadziałania: 6,8…170 V.
Seria diod TVS o mocy 150 W i małej pojemności złącza jest dostępna w hermetycznych obudowach szklanych do montażu SMD i THT. Parametry obudów są dostępne na stronie produktu.
