n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem

n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem
Toshiba Electronics Europe rozszerza rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET - realizowanych w oparciu o nowy proces technologiczny U-MOS IX-H Trench - o dwa nowe modele produkowane na napięcia znamionowe 30 V i 60 V.

Oba są dostępne w obudowach DSOP Advance (6 mm×5 mm) skutecznie rozpraszających ciepło dzięki dwustronnym powierzchniom chłodzącym. Charakteryzują się małymi stratami mocy dzięki niewielkiej rezystancji RDS(ON) i małemu ładunkowi wyjściowemu QOSS. Przy napięciu sterującym VGS=10 V rezystancja RDS(ON) i QOSS wynoszą, odpowiednio 0,6 m? i 2160 pF dla tranzystora 30-woltowego i 1,3 m?/960 pF dla 60-woltowego. Dopuszczalna temperatura pracy złącza to +175°C.

Ważniejsze parametry 30-woltowego tranzystora TPWR8503NL:

  • Ciągły prąd drenu ID: 150 A w temperaturze +25°C.
  • Impulsowy prąd drenu IDP: 500 A dla t=100 µs.
  • Rezystancja kanału RDS(ON): typowo 1,0 m? przy VGS=4,5 V.
  • Prąd upływu IDSS: maksymalnie 10 µA przy VDS=30 V.
  • Moc rozpraszana PD: 142 W w temperaturze +25°C.
  • Całkowity ładunek bramki (Qg): typ. 74 nC,
  • Czas regeneracji trr: typowo 58 ns.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik kwiecień 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio kwiecień - maj 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje kwiecień 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna kwiecień 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich maj 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów