n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem

n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem
Toshiba Electronics Europe rozszerza rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET - realizowanych w oparciu o nowy proces technologiczny U-MOS IX-H Trench - o dwa nowe modele produkowane na napięcia znamionowe 30 V i 60 V.

Oba są dostępne w obudowach DSOP Advance (6 mm×5 mm) skutecznie rozpraszających ciepło dzięki dwustronnym powierzchniom chłodzącym. Charakteryzują się małymi stratami mocy dzięki niewielkiej rezystancji RDS(ON) i małemu ładunkowi wyjściowemu QOSS. Przy napięciu sterującym VGS=10 V rezystancja RDS(ON) i QOSS wynoszą, odpowiednio 0,6 m? i 2160 pF dla tranzystora 30-woltowego i 1,3 m?/960 pF dla 60-woltowego. Dopuszczalna temperatura pracy złącza to +175°C.

Ważniejsze parametry 30-woltowego tranzystora TPWR8503NL:

  • Ciągły prąd drenu ID: 150 A w temperaturze +25°C.
  • Impulsowy prąd drenu IDP: 500 A dla t=100 µs.
  • Rezystancja kanału RDS(ON): typowo 1,0 m? przy VGS=4,5 V.
  • Prąd upływu IDSS: maksymalnie 10 µA przy VDS=30 V.
  • Moc rozpraszana PD: 142 W w temperaturze +25°C.
  • Całkowity ładunek bramki (Qg): typ. 74 nC,
  • Czas regeneracji trr: typowo 58 ns.
Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów