n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem

Oba są dostępne w obudowach DSOP Advance (6 mm×5 mm) skutecznie rozpraszających ciepło dzięki dwustronnym powierzchniom chłodzącym. Charakteryzują się małymi stratami mocy dzięki niewielkiej rezystancji R_DS(ON) i małemu ładunkowi wyjściowemu Q_OSS. Przy napięciu sterującym V_GS=10 V rezystancja R_DS(ON) i Q_OSS wynoszą, odpowiednio 0,6 m? i 2160 pF dla tranzystora 30-woltowego i 1,3 m?/960 pF dla 60-woltowego. Dopuszczalna temperatura pracy złącza to +175°C.

Ważniejsze parametry 30-woltowego tranzystora TPWR8503NL:

• Ciągły prąd drenu I_D: 150 A w temperaturze +25°C.
• Impulsowy prąd drenu I_DP: 500 A dla t=100 µs.
• Rezystancja kanału R_DS(ON): typowo 1,0 m? przy V_GS=4,5 V.
• Prąd upływu I_DSS: maksymalnie 10 µA przy V_DS=30 V.
• Moc rozpraszana PD: 142 W w temperaturze +25°C.
• Całkowity ładunek bramki (Qg): typ. 74 nC,
• Czas regeneracji trr: typowo 58 ns.