Zaloguj
Nowe układy zapewniają najwyższą niezawodność bez konieczności stosowania zewnętrznych układów korekcyjnych. Ich współczynnik Soft Error Rate (SER) nie przekracza 0,1 FIT/Mb (FIT oznacza jeden błąd występujący na 1 miliard godzin pracy układu). Opcjonalnie, te pamięci mogą być wyposażone w funkcję generowania sygnału potwierdzającego przeprowadzenie korekcji błędu na pojedynczym bicie.
Zakres zastosowań nowych układów obejmuje aplikacje przemysłowe, samochodowe, militarne i medyczne. Pod względem rozkładu wyprowadzeń zapewniono kompatybilność z wcześniejszymi wersjami, co pozwala projektantom zwiększyć niezawodność produktów bez konieczności przeprojektowywania płytek drukowanych.
Oferta obejmuje trzy typy pamięci: szybkie (Fast), energooszczędne (MoBL), szybkie z trybem PowerSnooze ograniczającym pobór prądu do 15 µA w trybie Deep Sleep. Każda z powyższych opcji obejmuje pamięci w konfiguracjach ×8 i ×16, zasilane napięciem 1,8 V, 3 V lub 5 V. Dostępne obudowy to: SOIC-32, TSOPII-32, SOJ-36, SOJ-44, TSOPII-44, VFBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej zaplanowano na lipiec 2015.
