Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC

Czwartek, 16 Lipiec 2015

Firma Cypress Semiconductor dodaje do oferty asynchronicznych pamięci SRAM nowe układy o pojemności 4 Mb, wyposażone w blok ECC realizujący na bieżąco korekcję błędów spowodowanych tzw. promieniowaniem tła.

Nowe układy zapewniają najwyższą niezawodność bez konieczności stosowania zewnętrznych układów korekcyjnych. Ich współczynnik Soft Error Rate (SER) nie przekracza 0,1 FIT/Mb (FIT oznacza jeden błąd występujący na 1 miliard godzin pracy układu). Opcjonalnie, te pamięci mogą być wyposażone w funkcję generowania sygnału potwierdzającego przeprowadzenie korekcji błędu na pojedynczym bicie.

Zakres zastosowań nowych układów obejmuje aplikacje przemysłowe, samochodowe, militarne i medyczne. Pod względem rozkładu wyprowadzeń zapewniono kompatybilność z wcześniejszymi wersjami, co pozwala projektantom zwiększyć niezawodność produktów bez konieczności przeprojektowywania płytek drukowanych.

Oferta obejmuje trzy typy pamięci: szybkie (Fast), energooszczędne (MoBL), szybkie z trybem PowerSnooze ograniczającym pobór prądu do 15 µA w trybie Deep Sleep. Każda z powyższych opcji obejmuje pamięci w konfiguracjach ×8 i ×16, zasilane napięciem 1,8 V, 3 V lub 5 V. Dostępne obudowy to: SOIC-32, TSOPII-32, SOJ-36, SOJ-44, TSOPII-44, VFBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej zaplanowano na lipiec 2015.