20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²

20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Si8410DB to miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET do urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów, produkowany w obudowie MICRO FOOT o powierzchni zaledwie 1 mm² i grubości 0,54 mm.

Może być stosowany jako przełącznik zasilania lub szybki przełącznik o małych stratach w przetwornicach DC/DC. Charakteryzuje się napięciem przebicia równym 20 V i dopuszczalnym prądem drenu 5,7 A przy zapewnieniu skutecznego chłodzenia. Jego rezystancja RDS(on) wynosi 37 mΩ przy napięciu sterowania bramki 4,5 V oraz 41, 47 i 68 mΩ przy napięciu sterującym, odpowiednio: 2,5 V, 1,8 V i 1,5 V.

W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem w obudowie CSP 1 mm², podane wartości RDS(on) są mniejsze o od 30 do 50%. Mała rezystancja RDS(on) uzyskiwana już przy napięciu sterującym 1,5 V oraz w dopuszczalnym zakresie napięcia VGS do ±8 V, równocześnie zapewnia duży margines bezpieczeństwa i elastyczność w układach sterowania.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik wrzesień 2020

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio wrzesień 2020

Świat Radio

Magazyn użytkowników eteru

Automatyka Podzespoły Aplikacje wrzesień 2020

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna wrzesień 2020

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich sierpień 2020

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów