20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²

20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Si8410DB to miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET do urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów, produkowany w obudowie MICRO FOOT o powierzchni zaledwie 1 mm² i grubości 0,54 mm.

Może być stosowany jako przełącznik zasilania lub szybki przełącznik o małych stratach w przetwornicach DC/DC. Charakteryzuje się napięciem przebicia równym 20 V i dopuszczalnym prądem drenu 5,7 A przy zapewnieniu skutecznego chłodzenia. Jego rezystancja RDS(on) wynosi 37 mΩ przy napięciu sterowania bramki 4,5 V oraz 41, 47 i 68 mΩ przy napięciu sterującym, odpowiednio: 2,5 V, 1,8 V i 1,5 V.

W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem w obudowie CSP 1 mm², podane wartości RDS(on) są mniejsze o od 30 do 50%. Mała rezystancja RDS(on) uzyskiwana już przy napięciu sterującym 1,5 V oraz w dopuszczalnym zakresie napięcia VGS do ±8 V, równocześnie zapewnia duży margines bezpieczeństwa i elastyczność w układach sterowania.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik kwiecień 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio kwiecień - maj 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje kwiecień 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna kwiecień 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich maj 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów