Zostań w domu, zamów taniej!
Nie wychodź z domu i zamów online swoje ulubione pisma 20% taniej. Skorzystaj z kodu rabatowego: czytajwdomu

20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²

20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Si8410DB to miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET do urządzeń o największej gęstości upakowania podzespołów, produkowany w obudowie MICRO FOOT o powierzchni zaledwie 1 mm² i grubości 0,54 mm.

Może być stosowany jako przełącznik zasilania lub szybki przełącznik o małych stratach w przetwornicach DC/DC. Charakteryzuje się napięciem przebicia równym 20 V i dopuszczalnym prądem drenu 5,7 A przy zapewnieniu skutecznego chłodzenia. Jego rezystancja RDS(on) wynosi 37 mΩ przy napięciu sterowania bramki 4,5 V oraz 41, 47 i 68 mΩ przy napięciu sterującym, odpowiednio: 2,5 V, 1,8 V i 1,5 V.

W porównaniu z najbliższym odpowiednikiem w obudowie CSP 1 mm², podane wartości RDS(on) są mniejsze o od 30 do 50%. Mała rezystancja RDS(on) uzyskiwana już przy napięciu sterującym 1,5 V oraz w dopuszczalnym zakresie napięcia VGS do ±8 V, równocześnie zapewnia duży margines bezpieczeństwa i elastyczność w układach sterowania.

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik luty 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio luty 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje styczeń 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna luty 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Praktyczny Kurs Elektroniki 2018

Praktyczny Kurs Elektroniki

24 pasjonujące projekty elektroniczne

Elektronika dla Wszystkich styczeń 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów