Miniaturowe mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8

Oba zawierają po dwa tranzystory p- i n-kanałowe z wbudowanymi diodami zabezpieczającymi. Różnią się dopuszczalnym napięciem pracy, wynoszącym 40 V dla DMHC4035LSD i 30 V dla DMHC3025LSD oraz z dopuszczalnym prądem ciągłym, wynoszącym odpowiednio 2 A i 3 A (do +70?C). Dopuszczalny prąd impulsowy jest identyczny dla obu wersji i wynosi 30 A. Rezystancje R_DS(ON) wewnętrznych tranzystorów wynoszą przykładowo dla modelu 40-woltowego 45 m? przy VGS=10 V (dla tranzystorów n-MOS) i 65 m? @ VGS=-10 V (dla p-MOS). DMHC4035LSD i DMHC3025LSD mogą być wykorzystane do sterowania silnikami, wentylatorami i innymi obciążeniami indukcyjnymi. Są produkowane w obudowach SO-8 o wymiarach 6,0 mm×4,9 mm×1,7 mm.