Zaloguj
W układach tych zastosowano technologię wielobitowych komórek pamięci MLC oraz wielopoziomową architekturę V-NAND z warstwami komórek ułożonymi jedna na drugiej. W stosunku do pamięci 3D V-NAND pierwszej generacji wprowadzonych na rynek w 2013 roku, obecne pamięci drugiej generacji zawierają zwiększoną z 24 do 32 liczbę warstw. Będą one produkowane na zakres pojemności do 128 Gb.
Pamięci 3-bitowe 3D V-NAND Flash w masowej produkcji
Czwartek, 08 Styczeń 2015
Samsung informuje o rozpoczęciu produkcji masowej pierwszych na rynku 3-bitowych pamięci 3D V-NAND Flash do zastosowań w dyskach SSD.
Zobacz więcej w kategorii Nowe produkty
