Zaloguj
Układy VRPower SiC620, produkowane w niskoprofilowych obudowach MLP o powierzchni 5 mm×5 mm, mogą dostarczyć do obciążenia prąd o natężeniu przekraczającym 60 A. Są o 30% mniejsze pod względem powierzchni montażowej od układów wcześniejszej generacji, a przy tym pozwalają osiągnąć większą o 3% sprawność, sięgającą 95%.
Dzięki mniejszym wymiarom i mniejszym wartościom parametrów pasożytniczych niż w przypadku rozwiązań bazujących na elementach dyskretnych, mogą pracować z większą częstotliwością taktowania - aż do 1,5 MHz. Struktura wewnętrzna obejmuje wyjściowe tranzystory n-kanałowe TrenchFET Gen IV: high-side i low-side, układ sterujący bramkami oraz diodę bootstrap.
Układy SiC620 VRPower mogą współpracować z szeroką gamą kontrolerów PWM zasilanych napięciami 3,3 i 5 V. Wprowadzają opóźnienie nieprzekraczające 20 ns. Akceptują napięcie zasilania z zakresu 4,5...16 V. Zawierają detektor zerowego prądu i adaptacyjny układ kontroli czasu martwego zapewniające maksymalną sprawność w szerokim zakresie obciążeń, a także zabezpieczenie podnapięciowe, shoot-through (przed równoczesnym włączeniem obu tranzystorów) i termiczne.
