Zaloguj
Są to tranzystory trench-gate, field-stop drugiej generacji, których straty przy włączaniu i wyłączaniu obniżono o odpowiednio, 30% i 15% w porównaniu do poprzedników. Ich dodatkowym atutem jest niskie napięcie nasycenia VCE(sat), wynoszące od 2,1 V (typowo, przy nominalnym prądzie kolektora w temperaturze +100°C).
Ponadto, są to tranzystory o dużej odporności na ekstremalne warunki pracy, niezatrzaskujące się nawet po osiągnięciu 4-krotnego prądu nominalnego i wytrzymujące zwarcie przez minimum 5 µs przy początkowej temperaturze złącza +150°C.
Ich maksymalna dopuszczalna temperatura złącza wynosząca +175°C wydłuża czas bezawaryjnej pracy i ułatwia projektowanie systemu chodzenia. Szeroki zakres bezpiecznej pracy (SOA) zwiększa niezawodność w aplikacjach wymagających rozpraszania dużych mocy. Dodatni współczynnik temperaturowy VCE(sat) oraz małe różnice parametrów pomiędzy poszczególnymi egzemplarzami ułatwiają równoległe łączenie kilku tranzystorów.
Nowe tranzystory IGBT serii "H" są produkowane w obudowach TO-247.
