750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET G2 w nowych obudowach Q-DPAK i D2PAK

Są to tranzystory umożliwiające uzyskanie rekordowej sprawności i gęstości mocy w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych, takich jak ładowarki pokładowe, wysokonapięciowe konwertery DC/DC i przełączniki zasilania. Obudowa Q-DPAK typu top-side cooled pozwala uzyskać równocześnie małą rezystancję termiczną i długi czas bezawaryjnej pracy, zaś niewielkie wartości iloczynów RDS(ON) × QOSS i RDS(ON) × Qfr zapewniają małe straty przy przełączaniu, zarówno w topologii hard-switching, jak i soft-switching. Napięcie progowe VGS(th) równe 4,5 V @ +25°C i bardzo mały stosunek QGD/QGS zapewniają wysoką odporność na przypadkowe włączenie tranzystora, wynikające z wpływu parametrów resztkowych. Bramki mogą pracować z napięciem statycznym już od –7 V (do –11 V w impulsie), co poszerza marginesy projektowe i zapewnia kompatybilność z wieloma podobnymi tranzystorami dostępnymi obecnie na rynku.

www.infineon.com