Superzłączowy tranzystor n-MOSFET do zasilaczy UPS i falowników fotowoltaicznych

Toshiba Electronics po raz kolejny rozszerza rodzinę tranzystorów DTMOSVI. Do oferty wchodzi nowy model o symbolu TK057V60Z, wykonany w technologii superzłączowej, przeznaczony do pracy przy maksymalnym napięciu dren-źródło równym 600 V. Jest to tranzystor z kanałem typu n o maksymalnym ciągłym prądzie drenu równym 40 A, ładunku bramka-dren 15 nC oraz średniej wartości RDS(ON) na poziomie 0,047 Ω (maksymalnie 0,057 Ω). Dopuszczalne natężenie prądu impulsowego wynosi 160 A i jest ograniczone temperaturą pracy kanału (do +150°C).

TK057V60Z jest zamykany w obudowie DFN 8 × 8 mm z podwójnym wyprowadzeniem źródła, ograniczającym wpływ indukcyjności resztkowej na proces przełączania. W porównaniu z tranzystorami z wcześniejszej rodziny DTMOSIV-H, zredukowano w nim współczynnik FoM o około 36% oraz iloczyn RDS(ON) i Qdg o około 52%, co przekłada się na mniejsze straty przewodzenia i przełączania w przetwornicach impulsowych. Producent udostępnia modele SPICE: G0 do szybkiej weryfikacji funkcjonalnej oraz G2 do precyzyjnego odwzorowania charakterystyk dynamicznych i przejściowych. TK057V60Z jest polecany do zastosowań w zasilaczach serwerowych w centrach danych, zasilaczach UPS i falownikach fotowoltaicznych.

www.toshiba.semicon-storage.com

{$in-article-module}