Zaloguj
Niskoprofilowe diody Schottky’ego SiC o napięciu 650 V lub 1200 V
Do oferty firmy Vishay wchodzą nowe diody Schottky’ego 3. generacji, zamykane w miniaturowych obudowach SlimSMA HV (DO-221AC) o drodze upływu wynoszącej powyżej 3,2 mm. Są one produkowane na podłożach SiC. Występują w wersjach o napięciu przebicia 650 V lub 1200 V oraz o prądzie znamionowym 1 A lub 2 A. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami w obudowach SMA i SMB, charakteryzują się ponad trzykrotnie mniejszą grubością (0,95 mm vs. 3,2 mm). W odróżnieniu od diod krzemowych wykazują mały ładunek wewnętrzny (7,2 nC) i niewielką zależność parametrów dynamicznych od temperatury. Ich zaletami są też: krótki czas przełączania i niskie napięcie przewodzenia, wynoszące od 1,3 V.
Nowa oferta obejmuje obecnie trzy modele diod: VS-3C01EJ12-M3 (1200 V/1 A), VS-3C02EJ07-M3 (650 V/2 A) i VS-3C02EJ12-M3 (1200 V/2 A). Są one zdatne do pracy w temperaturze do +175°C. Charakteryzują się dodatnim współczynnikiem temperaturowym, ułatwiającym łączenie równoległe. Ich typowe zastosowania obejmują układy napędowe oraz konwertery DC/DC i AC/DC w zasilaczach serwerowych i systemach przechowywania energii.
{$in-article-module}
