Dwukierunkowy przełącznik na bazie tranzystora GaN 650 V z podwójną bramką

Firma Infineon opracowała dwukierunkowy przełącznik IGLT65R055B2, zrealizowany na bazie 650-woltowego tranzystora CoolGaN G5 z podwójną bramką. Jest to element umożliwiający aktywne blokowanie napięcia i prądu w obu kierunkach, zrealizowany w oparciu o technologię GIT (gate injection transistor). Może zastąpić tradycyjne przełączniki back-to-back, stosowane w konwerterach. Pracuje z maksymalnym ciągłym prądem przewodzenia 21,8 A i z maksymalnym prądem impulsowym ±73,6 A. Charakteryzuje się napięciem VSS równym 750 V, maksymalną rezystancją RSS równą 70 mΩ i ładunkiem bramki 5,4 nC. Zintegrowanie dwóch przełączników w jednej strukturze pozwala uprościć projekty urządzeń końcowych, umożliwiając zastosowanie konwersji jednostopniowej. Zwiększa to sprawność energetyczną i niezawodność urządzenia oraz obniża koszty produkcji.

Przełącznik IGLT65R055B2 może znaleźć zastosowanie w falownikach fotowoltaicznych, systemach gromadzenia energii, stacjach ładowania i sterownikach napędów.

www.infineon.com

{$in-article-module}