Pierwsze tranzystory GaN z wbudowaną diodą Schottky’ego

Infineon Technologies prezentuje pierwsze na rynku tranzystory GaN z wbudowaną diodą Schottky’ego, przeznaczone do zastosowań w przemyśle. Są to tranzystory stanowiące rozwinięcie rodziny CoolGaN G5, pozwalające zredukować straty występujące w tzw. czasie martwym i zwiększyć sprawność energetyczną systemów zasilania. Ponadto upraszczają konstrukcję stopni mocy i redukują koszty BOM.

W aplikacjach hard-switching układy zasilające oparte na podzespołach GaN mogą wykazywać duże straty mocy, związane z wysokim napięciem na pojemności wewnętrznej (VSD). Są one tym większe, im dłuższy jest martwy kontrolera. Projektanci układów zasilania stosowali dotąd zewnętrzne diody Schottky’ego, połączone równolegle z tranzystorem lub próbowali skrócić czas martwy w kontrolerze. Obie metody generują jednak dodatkowy wysiłek projektowy i zwiększają koszty. Niedogodności te wyeliminowano w najnowszych tranzystorach CoolGaN G5 z wewnętrzną diodą Schottky’ego, zaprojektowanych specjalnie do zastosowań w układach zasilania dużej mocy i układach napędowych. Pierwsze wersje, produkowane na napięcie przebicia 100 V, są zamykane w obudowach PQFN o powierzchni 5×3 mm i charakteryzują się rezystancją RDS(ON) już od 1,5 mΩ.

www.infineon.com

{$in-article-module}