Energooszczędne pamięci SPI NOR Flash do układów SoC o napięciu zasilania 1,2 V

Firma GigaDevice powiększa ofertę energooszczędnych pamięci SPI NOR Flash, zaprojektowanych specjalnie do współpracy z układami SoC o napięciu zasilania 1,2 V. Są to pamięci o podwójnym napięciu zasilania, eliminujące konieczność stosowania konwerterów typu boost. Zawierają rdzeń zasilany napięciem 1,8 V i sekcję I/O o napięciu roboczym 1,2 V. Obsługują tryby pracy single, dual i quad STR (single transfer rate) oraz quad DTR (double transfer rate). Pracują z częstotliwością taktowania do 133 MHz w trybie STR i do 104 MHz w trybie DTR.

Pamięci serii GD25NE są szybsze od ich odpowiedników w technologii Flash, zasilanych pojedynczym napięciem 1,2 V. Czas programowania strony wynosi 0,15 ms, a czas kasowania sektora: 30 ms (są to wartości mniejsze odpowiednio o 60% i 30%). Obecnie dostępne są wersje o pojemności od 32 Mb do 256 Mb. Wszystkie układy z omawianej serii pobierają zaledwie 0,2 μA prądu w trybie power-down, 8 mA w trybach programowania i kasowania oraz 9 mA w trybie odczytu przy częstotliwości taktowania 104 MHz (Quad I/O DTR).

www.gigadevice.com

{$in-article-module}