IBM opracował 2-nanometrowy chip bazujący na tranzystorach GAA

IBM opracował 2-nanometrowy chip bazujący na tranzystorach GAA

IBM opracował 2-nanometrowy proces technologiczny bazujący na tranzystorach z bramką typu GAA. Rozwiązanie to zapewnia gęstość struktur IC na poziomie 333 mln tranzystorów/mm². Pierwszy taki chip został zaprojektowany i wykonany w ośrodku badawczym IBM zlokalizowanym w mieście Albany, w stanie Nowy Jork.

Proces ten, w porównaniu do 7 nm, oferuje wydajność wyższą o 45% przy tym samym zużyciu energii. W porównaniu do wysokiej klasy 7-nanometrowego procesu jest to nawet o 75% mniej energii. Trójwarstwowy tranzystor z bramką GAA charakteryzuje się wysokością 75 nm, szerokością 40 nm, a poszczególne nanopowłoki mają wysokość 5 nm. Są one oddzielone 5-nanometrowymi separatorami. Podziałka bramek wynosi 44 nm, a ich długość 12 nm.

W projekcie zastosowano dolne dielektryczne kanały izolacyjne, co umożliwia uzyskanie bramki o długości 12 nm, a wewnętrzne separatory są wykonane w suchym procesie drugiej generacji, który umożliwia rozwój nanopłytek. IBM wykorzystuje metody EUV w niektórych częściach procesu FEOL co umożliwia zastosowanie EUV na wszystkich etapach projektu dla kluczowych warstw.

źródło: Electronics Weekly

Elektronika Praktyczna Plus lipiec - grudzień 2012

Elektronika Praktyczna Plus

Monograficzne wydania specjalne

Elektronik czerwiec 2021

Elektronik

Magazyn elektroniki profesjonalnej

Raspberry Pi 2015

Raspberry Pi

Wykorzystaj wszystkie możliwości wyjątkowego minikomputera

Świat Radio czerwiec 2021

Świat Radio

Magazyn krótkofalowców i amatorów CB

Automatyka Podzespoły Aplikacje maj 2021

Automatyka Podzespoły Aplikacje

Technika i rynek systemów automatyki

Elektronika Praktyczna czerwiec 2021

Elektronika Praktyczna

Międzynarodowy magazyn elektroników konstruktorów

Elektronika dla Wszystkich czerwiec 2021

Elektronika dla Wszystkich

Interesująca elektronika dla pasjonatów