Samsung w pełni wdroży proces EUV w kolejnych generacjach DRAM

Wtorek, 31 Marzec 2020

Tagi:

Pamięci

Samsung w pełni wdroży proces EUV w kolejnych generacjach DRAM

Samsung Electronics poinformował, że dostarczył na rynek milion modułów pamięci DRAM DDR4 klasy 10 nm (D1x) wytworzonych w procesie technologicznym EUV, co zakończyło ich globalne oceny u klientów. Samsung podkreśla, że jest pierwszą firmą, która zastosowała ten proces przy produkcji pamięci, by sprostać wyzwaniom związanym ze skalowaniem układów DRAM.

Producent ujawnił, że proces EUV zostanie w pełni wdrożony w przyszłych generacjach pamięci DRAM, zaczynając od układów klasy 10 nm (D1a) lub wysoce zaawansowanych chipów klasy 14 nm. Firma spodziewa się, że w 2021 roku rozpocznie masową produkcję modułów DDR5 i LPDDR5, bazujących na rozwiązaniu D1A. To umożliwiłoby dwukrotny wzrost wydajności przy użyciu 12-calowych wafli krzemowych.

W związku z poszerzeniem rynku DDR5/LPDDR5 w przyszłym roku Samsung będzie kontynuował współpracę z głównymi klientami z branży IT i producentami półprzewodników w zakresie optymalizacji standardów. Ma to przyczynić się do przyspieszenia przejścia do nowej generacji modułów DRAM na światowym rynku pamięci.

Ponadto Samsung uruchomi w drugiej połowie bieżącego roku kolejną linię produkcyjną półprzewodników w Pyeongtaek, w Korei Południowej.

źródło: DigiTimes