wersja mobilna

Mobilna Elektronika Praktyczna

Podzespoły  40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń 

 

Infineon Technologies prezentuje nową rodzinę 40-woltowych tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 zaprojektowanych do zastosowań w zasilaczach impulsowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji zapewniają one mniejszą o 30% rezystancję RDS(on) oraz mniejsze współczynniki FOM (Qgd × RDS(on) mniejszy o 46%, Qg × RDS(on) mniejszy o 29%). Powoduje to, że charakteryzują się małymi stratami zarówno w zakresie dużych, jak i małych mocy wyjściowych zasilacza.

Krzywe sprawności energetycznej pokazują wyraźnie, że tranzystory OptiMOS 6 wykazują znacznie mniejsze straty w zakresie małych mocy wyjściowych od tranzystorów poprzedniej generacji. Pozostają one na niskim poziomie również przy dużych obciążeniach pomimo, że dominujące są w tym zakresie straty na przewodzenie, uzależnione od RDS(on). Zapewnia to mniejsze wymogi odnośnie układu chłodzenia oraz ułatwia łączenie równoległe tranzystorów, co w konsekwencji oznacza niższe koszty realizacji zasilacza.

Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w 8 wariantach zamykanych dwóch typach obudów: SuperSO8 (6×5 mm, RDS(on) od 0,7 do 5,9 mΩ) oraz PQFN (3,3×3,3 mm, RDS(on) od 1,8 do 6,3 mΩ).

www.infineon.com

Pozostałe artykuły

Zobacz wszystkie

Elektronika Praktyczna

Lipiec 2019

PrenumerataePrenumerataKup w kiosku wysyłkowym

Elektronika Praktyczna Plus

lipiec - grudzień 2012

Kup w kiosku wysyłkowym