Szybkie tranzystory Field Stop Trench IGBT o parametrach znamionowych 1200 V/15, 25 i 40 A

Środa, 26 Luty 2014

Fairchild Semiconductor rozszerza ofertę tranzystorów Field Stop Trench IGBT o nową serię obejmującą trzy modele o napięciu znamionowym 1200 V i dopuszczalnym prądzie kolektora 15 A, 25 A lub 40 A.

Mają one krótsze czasy przełączania i większą niezawodność od wcześniejszych wersji. Zostały zaprojektowane do aplikacji przemysłowych, takich jak: zasilacze UPS, falowniki, spawarki i układy korekcji PFC. Ich ważnym parametrem są bardzo małe straty przewodzenia wynikające z obniżonego do zaledwie 1,8 V napięcia nasycenia, znacznie niższego niż w poprzednich seriach szybkich tranzystorów NPT IGBT i jednocześnie jednego z najmniejszych wśród produkowanych obecnie tranzystorów o napięciu znamionowym 1200 V. Straty na przełączanie (Eoff) są na poziomie nieprzekraczającym 30 <m>J/A.

Wymienione tranzystory - dzięki dodatniemu współczynnikowi temperaturowemu - mogą być łatwo łączone równolegle. Pracują przy dopuszczalnej temperaturze złącza +175°C. Są oferowane w obudowach TO247. Ceny hurtowe FGH15T120SMD_F155 (1200 V/15 A), FGH25T120SMD_F155 (1200 V/25 A) i FGH40T120SMD_F155 (1200 V/40 A) wynoszą odpowiednio 3,30, 4,65 i 6,30 USD przy zamówieniu od 1000 sztuk.