Zaloguj
Nadają się idealnie do tego typu zastosowań. Są zamykane w obudowach PQFN o powierzchni montażowej 6 x 5 mm. Mała rezystancja RDS(on), wynosząca zaledwie 5,9 mW w przypadku modelu AUIRFN8459 pozwala przy idealnym chłodzeniu osiągnąć dopuszczalny ciągły prąd przewodzenia wynoszący nawet 50 A. Dla drugiego z nowych tranzystorów, AUIRFN8458TR wartości te wynoszą RDS(on)=10 mΩ i ID=43 A.
AUIRFN8459 i AUIRFN8458 w porównaniu z tranzystorami wysokoprądowymi o zbliżonych parametrach elektrycznych, lecz zamykanymi w konwencjonalnych obudowach DPak (TO-252) są ponad dwukrotnie mniejsze pod względem powierzchni montażowej. Podobnie, jak inne MOSFET-y z oferty IR do zastosowań samochodowych, są poddawane inspekcji wizualnej oraz testom parametrów dynamicznych i statycznych na etapie produkcji. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101 oznaczającą m.in., że zmiana rezystancji RDS(on) po 1000 cyklach temperaturowych nie przekracza 20% wartości nominalnej.
